2026 年 10 月 13 日 星期二登入訂閱
技術名詞庫

GaN 氮化鎵

整理日期 2026-10-13・依公開資訊整理・示意圖非實際尺寸・不是投資建議

它是什麼

示意圖局部

GaN(氮化鎵)是一種第 3 代半導體材料,具備寬能隙特性,也就是電子躍遷需要較高能量,能在高電壓、高頻率與高溫下穩定運作,主要用來製造高效率的功率元件與射頻元件。

怎麼運作

  1. 電子在氮化鎵中移動的速度極快,使晶片能在極短時間內完成開關動作,大幅降低電能轉換時產生的熱能損耗。
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