SiC 碳化矽

SiC 碳化矽是由矽與碳組成的第 3 代半導體材料（指具備寬能隙、適合高電壓與高溫環境的半導體）。它主要用來製作高壓功率元件，能承受極高電壓與溫度，並大幅減少電力傳輸與轉換過程中的能量損耗。