2026 年 10 月 13 日 星期二登入訂閱
題材供應鏈

2 奈米與背面供電 概念股與供應鏈

10 檔台股、4 個環節:為何重要、上中下游各做什麼、每家公司與題材的關聯度。

半導體製程推進至 2 奈米節點,沿用逾 10 年的 FinFET 面臨物理極限,全面轉向環繞閘極(GAA)奈米片架構以降低漏電;同時背面供電網路(BSPDN)將金屬供電線移至晶圓背面,徹底解決正面線路雍塞與電壓降問題。

整理日期 2026-10-13・依公開資訊整理,時程與進度以公司公告為準・不是投資建議

題材熱度

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題材等權加權指數

一張圖看懂 2 奈米與背面供電

電晶體剖面示意:左邊是 FinFET,一片直立的矽鰭片被閘極從左、右、上三面包住;右邊是 GAA,三片橫躺的矽奈米片上下疊著,每一片都被閘極從四面包住;底下都是矽基板與絕緣層234
  1. 1
    鰭式通道FinFET:通道立成一片鰭
  2. 2
    三面閘極閘極包住鰭片左右與上面
    前段設備模組與精密零組件 →
  3. 3
    奈米片通道GAA:通道改成幾片橫躺的薄片
    製程特用化學品與特殊氣體 →
  4. 4
    環繞閘極閘極從四面包住每一片
    前段設備模組與精密零組件 →
  5. 5
    矽基板電晶體做在矽晶圓上

電晶體靠閘極控制電流開或關。FinFET 的閘極包住通道三面;GAA 把通道切成幾片橫躺的奈米片,讓閘極四面全包,比較不漏電,也能再縮小。片數為示意。

台灣在哪一段

「直接參與」=做圖上的零件或製程;「間接受惠」=不做圖上的東西,但受這項技術帶動的供需影響。示意圖,非實際尺寸與比例;立體插圖為 AI 生成。查證日 2026-10-13。

原理三分鐘

1背面供電是什麼
晶片剖面示意:左邊是傳統做法,電晶體層上方疊了很多層金屬線,粗的電源線和細的訊號線混在一起,最上面是凸塊;右邊是背面供電,正面只剩訊號線,上面黏著一片承載晶圓,電晶體層下方的矽被磨得很薄,有細小的銅柱穿過,再往下是粗的電源線與凸塊245
  1. 1
    傳統做法電源線和訊號線都擠在正面
  2. 2
    承載晶圓翻面後黏上的支撐晶圓
    晶圓代工與平坦化製程支援 →
  3. 3
    正面訊號層正面只留給訊號走線
  4. 4
    奈米矽穿孔從背面接到電晶體的細孔
    先進微觀結構檢測與材料分析 →
  5. 5
    背面供電層粗的電源線改走背面
    晶圓代工與平坦化製程支援 →

傳統晶片的電源線和訊號線都疊在電晶體上方,越往上越擠,電壓也會一路掉。背面供電把電源線搬到晶圓背面,正面只走訊號。

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  • 兩個改變差在哪
  • 背面供電怎麼做出來
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2 奈米與背面供電為何重要(完整說明)

半導體製程推進至 2 奈米節點,沿用逾 10 年的 FinFET 面臨物理極限,全面轉向環繞閘極(GAA)奈米片架構以降低漏電;同時背面供電網路(BSPDN)將金屬供電線移至晶圓背面,徹底解決正面線路雍塞與電壓降問題。此架構變革主要由全球晶圓代工龍頭引領,核心驅動力來自高效能運算、大型語言模型 AI 加速器及旗艦手機晶片對每瓦算力的極致追求。已公開時程顯示,2 奈米預計於 2025 年第 4 季進入量產並於 2026 年放量,導入背面供電的埃米級 A16 製程則規劃於 2026 年下半年生產就緒,使先進架構轉換進度成為全球半導體市場焦點。

判斷供應鏈關聯深淺,關鍵在於掌握量產瓶頸與價值集中環節。背面供電需將晶圓研磨減薄至微米級,使化學機械研磨道數遽增,研磨平坦化精度、承載晶圓貼合及防範翹曲破片為良率核心;晶背微通孔對位容錯極低,帶動奈米級材料分析驗證需求;且奈米片沉積與微影結構嚴苛,推升特用化學品與特殊氣體達到兆分之一純度門檻。評估個別廠商時,應檢視其產品是否實質打入 2 奈米驗證清單、是否為製程擴增工序的耗材獨家或主要供應者。後續需追蹤新竹寶山與高雄新廠裝機進度、2 奈米初期良率表現及埃米節點生產就緒等公開指標。

上游前段設備模組與精密零組件2 檔直接參與

供應沉積、蝕刻與微影設備之關鍵腔體模組、全氟橡膠密封材與吸盤零組件。

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上游製程特用化學品與特殊氣體3 檔直接參與

提供奈米片薄膜沉積特氣、EUV 微影洗滌劑及高純度電子級清洗溶劑。GAA 奈米片交替沉積與晶背微通孔製程對化學品純度容忍度拉升至 ppt 等級,且微影高深寬比結構極易倒塌,要求超高純度合成技術、微量雜質分離能力與專利配方改質技術,認證週期長且壁壘極高。

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中游晶圓代工與平坦化製程支援3 檔直接參與

涵蓋先進邏輯晶圓製造、化學機械研磨耗材及機台真空腔體潔淨再生服務。

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下游先進微觀結構檢測與材料分析2 檔直接參與

專注於提供 2 奈米 GAA 奈米片與晶背供電結構之材料分析、故障分析與可靠度檢測服務。在全新三維通道與雙面對準結構下,奈米級矽穿孔微缺陷極難捕捉,仰賴高階穿透式電子顯微鏡超薄樣品製備技術與專利分析定位能力,為先進製程良率調校與研發迭代的核心依託。

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接下來看什麼

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    時程

    新竹寶山與高雄新廠 2 奈米產線裝機與量產進度

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    晶圓龍頭 A16 背面供電製程於 2026 年下半年生產就緒狀況

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    高階 AI 晶片與旗艦手機處理器導入 2 奈米架構開案時程

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    化學機械研磨耗材與 ppt 等級特化氣體認證放量情形

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ⓘ 怎麼判定關聯度
關聯度高
題材相關產品是主要業務之一,或是瓶頸環節的主要供應者且已量產出貨。
關聯度中
已出貨或通過認證,但不是主要業務。
布局中
送樣、驗證、布局階段或間接相關。
依公開資訊判定,會隨量產進度調整;關聯度不是股價或投資建議。

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