AHI Journal微矽电子-创（8162）
微矽电子-创 技术分析
均线、KD、MACD、RSI、布林通道与量能的最新读数。
微矽电子-创 技术面现在怎么样？
微矽电子-创（资料日 10/13）：上升趋势，距 52 周高 -27.3%；低于 20 日线、站上 60 日线、站上 240 日线；K 值 37.7、RSI 47.7。
| 指标 | 读数 | 怎么读 |
|---|---|---|
| 均线位置 | 上升趋势 | 距 52 周高 -27.3%；低于 20 日线、站上 60 日线、站上 240 日线 |
| KD（9 日） | K 37.7／D 55.7 | K 值位于 20–80 之间；近期 死亡 交叉（10/7） |
| MACD（12,26,9） | DIF 1.21／信号线 1.29 | 柱状体 -0.08；近期 DIF 下穿信号线（10/13） |
| RSI（14 日） | 47.7 | 70 以上为高档区、30 以下为低档区 |
| 布林通道（20 日） | 上轨 69.54／中线 63.49／下轨 57.44 | 收盘在通道中的位置 43%（100% 为上轨）；带宽 19.0% |
| 20 日乖离 | -1.2% | 收盘相对 20 日均线 |
| 近 20／60 日高低 | 58.10–69.50／44.70–70.10 | 盘中最高与最低（还原） |
| 量能 | 今日 0.67 倍／近 5 日 1.14 倍 | 相对 20 日平均成交量 |
技术指标只描述价格与成交量的位置，本刊不以指标给出买卖信号。互动技术图请看个股页。
资料整理自公开信息，只描述数字，不是投资建议；作者非持牌投资顾问。每个数字怎么算见方法论。
