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GaN 氮化镓

整理日期 2026-10-13・依公开信息整理・示意图非实际尺寸・不是投资建议

它是什么

示意图局部

GaN(氮化镓)是一种第 3 代半导体材料,具备宽能隙特性,也就是电子跃迁需要较高能量,能在高电压、高频率与高温下稳定运作,主要用来制造高效率的功率元件与射频元件。

怎么运作

  1. 电子在氮化镓中移动的速度极快,使芯片能在极短时间内完成开关动作,大幅降低电能转换时产生的热能损耗。
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