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产能排挤本刊选题

HBM挤占 28%产能,通用内存缺口延至 2028 年

3 大原厂将晶圆全力转向AI堆叠,利基品供给停滞促使台系内存供应链进入获利扩张期。

memory(内存芯片实体特写特征明)
图/Raimond Spekking・CC BY-SA 4.0・Wikimedia Commons
本刊选题2026 年 9 月 9 日 星期三科技内存免费版
下一个可验证时点10/10(六)2408 南亚科 9 月营收(10 日前申报)
到时候看9 月营收年增率是否高于前 3 个月平均(前 3 个月平均年增 +690.4%);月增率有没有延续,累计年增率的方向。
再往后:10/12(一) 2408 南亚科 法说会 15:00

半导体产业正在经历一场严重的结构性产能移转。最新研究数据指出,2027 年逻辑芯片对高带宽内存的需求将达 1.96 亿颗,大幅超越同期 1.52 亿颗的产能上限。这项庞大供需赤字迫使全球前 3 大原厂全力抽调晶圆资源,推升高带宽内存投片占DRAM整体比重由 2026 年的 19%快速拉升至 2028 年的 28%。多数市场参与者仍将近期的报价回升视为常态景气循环的库存回补,却未察觉这是一次高阶先进制程对成熟标准品产能的实质抽离。随着大量晶圆被锁定在AI服务器的专用堆叠,通用型内存的供给缺口将不再只是短期现象,而是被一路锁定至 2028 年。

高阶制程抽离锁死通用产品供给

原厂策略的转向直接体现在产能分配与合约报价的剧烈变化。预估整体产业在高带宽内存的投片量,将由 2026 年的每月 414 千片,急遽扩张至 2028 年的每月 745 千片。3 大制造巨头将干净室与先进光罩产能全力倾斜至利润丰厚的高阶产品,通用型内存完全失去了供给扩张的弹性空间。美光近期公布的营运数据已反映这项冲击,单季DRAM价格大涨约 60%,NAND价格涨幅更高达 85%。从合约单价来看,次世代高规格产品报价呈现翻倍走势,这种极端的高溢价结构让原厂毫无动机回头增产标准品,通用型市场的短缺因此演变成结构性的必然结果。

高带宽内存投片量成长路径高带宽内存投片量成长路径Breakdown数字取自本文Figures quoted from this article0400800 千片/月2026 年投片量2026 年投片量414 千片/月414 千片/月2027 年预估投片量2027 年预估投片量579 千片/月579 千片/月2028 年预估投片量2028 年预估投片量745 千片/月745 千片/月高带宽内存投片量成长路径高带宽内存投片量成长路径Breakdown数字取自本文Figures quoted from this article0400800 千片/月2026 年投片量2026 年投片量414 千片/月414 千片/月2027 年预估…2027 年预估投片量2027 年预估…579 千片/月579 千片/月2028 年预估…2028 年预估投片量2028 年预估…745 千片/月745 千片/月
图对应:对照高带宽内存投片大幅扩张的排挤路径。读法:这几个数字取自本文、同一个单位放在同一把尺上比较,不是本刊面板另算的行情或营收。

标准型缺口带动台系供应链获利

国际原厂的产能战略抽离,为深耕通用型与利基型市场的台湾供应链腾出了前所未见的定价空间。由于主流大厂将精力集中于高阶运算堆叠,标准型内存的供需失衡迅速转化为台厂的营运暴发力。以南亚科为例,市场预期其在供需紧绷的推升下,获利水准将由 2026 年逐步向更高阶梯迈进,华邦电亦受惠于同质竞争减少而稳住获利基底。与此同时,预先储备总值逾 720 亿元巨额低价战备存货的群联,更直接站上价格重估的最前线。台厂并未直接跨入昂贵的HBM先进封装军备竞赛,却凭借承接国际巨头弃守的成熟标准品版图,享受报价上扬带来的超额利润周期。

云端支出扩张加剧下游获利分化

支撑这场供给挤压的底层动能,来自全球主要云端服务业者的资本开支军备竞赛。前 5 大云端巨头合计支出预计将从 2026 年的 6,918 亿美元,进一步膨胀至 2027 年的 9,069 亿美元,显示数据中心对高阶运算的采购强度丝毫未见动摇。然而,强劲的资本支出背后却隐藏着产业链利润分配的巨大裂隙。内存原厂将大幅膨胀的零组件成本顺利转嫁给模组厂与系统整合商,但缺乏议价能力的手机品牌与通用服务器代工厂,则无法将成本全额转移至终端消费市场。这种成本重压正逐步侵蚀下游硬件组装厂的毛利率,让整个科技产业链呈现上游暴利、下游受压的极端割裂。

本刊判断,内存产业正步入一场脱离传统库存循环的产能重组大局。原厂产能向高阶AI专用规格倾斜,已经在通用市场筑起供给断崖,台系成熟供应链短中期内将持续承接外溢红利。后续观察的重点在于:原厂先进晶圆向高规格产品挪移的实际进度、标准型合约报价是否能维持季增步调,以及下游代工厂在毛利遭压缩后,是否会对终端拉货产生实质负反馈。

订阅版全文包含 3 大原厂投片排程拆解、台厂获利预估对照表与 3 项关键检验指标门槛。

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本刊结论:立场:偏多对通用型内存供需维持吃紧的事实;信心:高,因高带宽内存投片占比冲上 28%且云端资本支出维持扩张;否证:若 2026 年第 4 季前 5 大云端巨头合计资本开支年增率转负则判断失效。

接下来看什么

  1. 2026 年 10 月中旬美光合约报价:若标准型DRAM合约季增率保持在 15%以上,产能排挤推升报价成立;若季增率低于 5%,论点失效。
  2. 2026 年 11 月全球产能研调:高带宽内存投片占DRAM总投片比重若达 20%以上,产能排挤至 2028 年成立;若低于 18%,排挤幅度减弱。
  3. 2026 年 11 月台厂月营收:南亚科单月营收年增率若维持在 30%以上,获利扩张趋势成立;若年增率降至 20%以下,受惠论点动摇。

风险灯号

CSP资本支出与设备投资
设备销售预估上修至 1,659 亿美元、年增 23.2%,能见度延伸至 2028 年
联准会与通膨
油价 9 月以来涨 8.5%推升通膨疑虑;9 月 11 日CPI与 9 月 17 日FOMC为裁决点
外资期货净空单
净空单增至 82,262 口,较前一交易日再增 2,863 口
融资余额
距 6,500 亿元警戒线仍有距离
地缘政治与油价
西德州 93.03 美元、连 6 个交易日走高,市场开始假设破百
内存通膨传导
上游获利创高、下游成本压缩,分界线在第 4 季报价
当冲与筹码温度
指数逼近前高但量能仅 0.92 兆,量价背离扩大

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市场

台股收黑,量能掉回 0.92 兆加权指数 9 月 8 日收 47,105.78 点,下跌 220.49 点、跌幅 0.5%,距 7 月 6 日高点 47,395 点仅 289 点;成交金额降至 0.92 兆元,未达 1 兆的日均量。

现货买超缩水,期货空单反而加码外资现货买超 132 亿元,较前一交易日的 883.08 亿元大幅收敛;台指期外资净空单增至 82,262 口,前一交易日为 79,399 口。

油价连 6 个交易日走高西德州原油期货收 93.03 美元、单日涨 1.7%,9 月以来累计上涨 8.5%,中东冲突升温使通膨与升息疑虑同步升高。

费半独强,道琼创 3 周最大单日跌幅费城半导体指数上涨 1.3%,道琼下跌 1.2%;台积电ADR上涨 2.4%、英特尔上涨 9.1%、超微上涨 5.9%,辉达下跌 2.0%。

产业与企业

内存:高带宽内存把成熟产能吃掉研究机构口径指出,高带宽内存 8 层堆叠已成必要规格,排挤标准型DRAM与NAND产能,两者短期均不存在供过于求。

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