2026 年 10 月 14 日 星期三登录订阅
题材供应链

HBM 与 DRAM 概念股与供应链

16 档台股、5 个环节:为何重要、上中下游各做什么、每家公司与题材的关联度。

AI 服务器与高效能运算对资料吞吐量要求大幅提升,推动内存迈入高带宽内存(HBM)与 DDR5 世代转换。

整理日期 2026-09-30・依公开信息整理,时程与进度以公司公告为准・不是投资建议

题材热度

+3.3%
近 60 个交易日・16 档等权 ・相对加权 -2.7 个百分点上涨 7 档下跌 9 档
题材等权加权指数

一张图看懂 HBM 与 DRAM

GPU 封装示意:中间是 GPU,左右各三叠 HBM,全部放在硅中介层上,底下是封装基板与锡球34
  1. 1
    GPU运算芯片
  2. 2
    HBM一叠就是一颗内存
  3. 3
    硅中介层芯片都放在它上面
    看〈CoWoS 先进封装〉图解 →
  4. 4
    封装基板底下是锡球
    看〈ABF 载板〉图解 →

HBM 不插在主机板上,而是和 GPU 封在同一颗封装里、并排放在硅中介层上,资料只走很短的距离。这种做法叫 2.5D 封装,例如台积电的 CoWoS。

台湾在哪一段

「直接参与」=做图上的零件或制程;「间接受惠」=不做图上的东西,但受这项技术带动的供需影响。示意图,非实际尺寸与比例;立体插图为 AI 生成。查证日 2026-10-13。

原理三分钟

1一叠 HBM 里面长什么样?
一叠 HBM 的剖面示意:底层是基底芯片,上面 8 层 DRAM 晶粒,硅穿孔垂直贯穿,层与层之间是微凸块23
  1. 1
    DRAM 晶粒常见 8 或 12 层,HBM4 可到 16 层
  2. 2
    硅穿孔(TSV)垂直穿过每一层的导线
    封装测试与关键制程设备 →
  3. 3
    微凸块层与层之间的接点
    封装测试与关键制程设备 →
  4. 4
    基底芯片负责和 GPU 沟通的介面

整叠高度有规格上限(HBM3E 约 0.72 毫米,HBM4 放宽到约 0.78 毫米),叠越多层,每层就得磨得越薄。

🔒 原理其余 3 段在订阅版
  • 为什么快:路很宽,不是车很快
  • HBM4:最底层换成逻辑芯片
  • 标准型 DRAM:从晶圆到模组
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HBM 与 DRAM 为何重要(完整说明)

AI 服务器与高效能运算对资料吞吐量要求大幅提升,推动内存迈入高带宽内存(HBM)与 DDR5 世代转换。HBM 通过硅穿孔技术垂直堆叠多层 DRAM 晶粒,提供突破性的传输带宽,并经由先进封装与运算芯片整合。市场由美光、SK 海力士与三星 3 大原厂寡占,辉达与超微主导架构规格。由于 HBM 晶粒尺寸远大于传统 DRAM 且制造繁复,3 大原厂将产能大量移转至 HBM3e 与 DDR5,导致成熟制程供给受限。市场聚焦于 2024 至 2025 年 8 层及 12 层 HBM3e 的量产放量,以及次世代 HBM4 于 2026 年前后导入混合键合与先进逻辑制程的时程进度。

判断供应链关联深浅,关键在于厂商是否掌握先进制程瓶颈或具备价格转嫁能力。HBM 的核心门槛在于多层微间距堆叠下的良率与晶圆翘曲控制,先进除泡设备与硅穿孔封装为价值集中处。评估各环节公司时,需区分是直接切入先进封测与设备供应链,抑或因原厂产能排挤而享有标准型 DRAM 报价上涨的外溢红利;模组厂与分销商则取决于低价库存规模及周转效率。后续应持续追踪原厂高阶 HBM3e 与 HBM4 的验证进展、晶圆代工厂先进封装扩产时程,以及合约价与现货价之价差动态,作为整体供需紧俏程度的检验指标。

DRAM 晶圆
DRAM 晶圆本刊制图・AI 生成示意

上游DRAM晶圆制造与IC设计4 档间接受惠

本环节涵盖 DRAM 晶圆设计制造与模组电源管理 IC 等周边芯片。随着 3 大原厂将高阶产能调拨至 HBM 与 DDR5,标准型与利基型内存供需结构改善。

订阅版另有:门槛、局部放大图、这一段的新技术:边缘 AI、HBM4 订阅 →

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HBM 堆叠晶粒
HBM 堆叠晶粒本刊制图・AI 生成示意

中游封装测试与关键制程设备3 档直接参与

负责高阶内存晶粒堆叠封装、测试服务及专用制程设备供应。

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模组电路板
模组电路板本刊制图・AI 生成示意

中游模组电路板与SMT代工3 档间接受惠

提供内存模组所需之高层数印刷电路板及高精度表面黏着技术(SMT)代工。

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服务器内存模组
服务器内存模组本刊制图・AI 生成示意

下游内存模组制造与品牌4 档间接受惠

向原厂采购 DRAM 颗粒与晶圆,整合控制电路与散热方案,制成服务器、电竞与工控内存模组行销全球。该环节高度依赖颗粒采购成本控管与存货管理能力,受益于原厂聚焦高阶 HBM 带动整体 DRAM 报价上涨,具备低价库存与高阶 DDR5 研发实力的模组厂可扩大产品价值。

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内存颗粒卷带
内存颗粒卷带本刊制图・AI 生成示意

下游内存通路与代理经销2 档间接受惠

担任原厂与下游系统组装厂之间的关键供应链桥梁,代理销售原厂之标准型 DRAM、高阶服务器模组甚至 HBM 产品。

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  • 共同的门槛 2 项
  • 竞争力总结
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接下来看什么

  1. 1
    时程

    国际原厂高阶 HBM3e 产出比重与 HBM4 规格认证时程。

  2. 2
    技术

    DRAM 季度合约价调涨幅度与现货价之价差动态。

  3. 3
    技术

    晶圆代工厂先进封装(CoWoS/TSV)扩产进度与设备交期。

  4. 4
    技术

    模组厂与分销商之低价库存去化速度与存货周转天数。

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ⓘ 怎么判定关联度
关联度高
题材相关产品是主要业务之一,或是瓶颈环节的主要供应者且已量产出货。
关联度中
已出货或通过认证,但不是主要业务。
布局中
送样、验证、布局阶段或间接相关。
依公开信息判定,会随量产进度调整;关联度不是股价或投资建议。

相关题材

English summary

HBM & DRAM Memory — Taiwan supply-chain map: 16 Taiwan-listed companies across 5 segments (upstream 1, midstream 2, downstream 2).

The page, in Traditional Chinese, explains how the technology works, what each segment of the supply chain does and its entry barriers. The company list and linkage levels are in the subscriber edition.

Data: TWSE/TPEx/MOPS. Not investment advice.