2026 年 10 月 14 日 星期三登录订阅
题材供应链

2 纳米与背面供电 概念股与供应链

10 档台股、4 个环节:为何重要、上中下游各做什么、每家公司与题材的关联度。

半导体制程推进至 2 纳米节点,沿用逾 10 年的 FinFET 面临物理极限,全面转向环绕闸极(GAA)纳米片架构以降低漏电;同时背面供电网络(BSPDN)将金属供电线移至晶圆背面,彻底解决正面线路雍塞与电压降问题。

整理日期 2026-10-13・依公开信息整理,时程与进度以公司公告为准・不是投资建议

题材热度

+1.3%
近 60 个交易日・10 档等权 ・相对加权 -4.7 个百分点上涨 4 档下跌 6 档
题材等权加权指数

一张图看懂 2 纳米与背面供电

立体剖面示意:左边是 FinFET,一片直立的硅鳍片从硅基板长出来,被红褐色金属闸极从左、右、上三面包住,中间隔一层黄色薄介电层;右边是 GAA,三片横躺的硅纳米片上下叠着,每一片都被闸极从四面包住;底下都是米色绝缘层与硅基板234
  1. 1
    鳍式通道FinFET:通道立成一片鳍
  2. 2
    三面闸极闸极包住鳍片左右与上面
    前段设备模组与精密零组件 →
  3. 3
    纳米片通道GAA:通道改成几片横躺的薄片
    制程特用化学品与特殊气体 →
  4. 4
    环绕闸极闸极从四面包住每一片
    前段设备模组与精密零组件 →
  5. 5
    硅基板晶体管做在硅晶圆上

晶体管靠闸极控制电流开或关。FinFET 的闸极包住通道三面;GAA 把通道切成几片横躺的纳米片,让闸极四面全包,比较不漏电,也能再缩小。片数为示意。

台湾在哪一段

「直接参与」=做图上的零件或制程;「间接受惠」=不做图上的东西,但受这项技术带动的供需影响。示意图,非实际尺寸与比例;立体插图为 AI 生成。查证日 2026-10-13。

原理三分钟

1背面供电是什么
立体剖面示意:左边是传统做法,硅基板上的晶体管层上方叠了很多层铜线,粗的电源线和细的信号线混在一起,最上面是锡球凸块;右边是背面供电,上面黏着一片灰色承载晶圆,往下是只剩细信号线的正面层、晶体管层、磨得很薄的硅层里有一排细铜柱穿过,再往下是粗的电源线与底部的锡球245
  1. 1
    传统做法电源线和信号线都挤在正面
  2. 2
    承载晶圆翻面后黏上的支撑晶圆
    晶圆代工与平坦化制程支持 →
  3. 3
    正面信号层正面只留给信号走线
  4. 4
    纳米硅穿孔从背面接到晶体管的细孔
    先进微观结构检测与材料分析 →
  5. 5
    背面供电层粗的电源线改走背面
    晶圆代工与平坦化制程支持 →

传统芯片的电源线和信号线都叠在晶体管上方,越往上越挤,电压也会一路掉。背面供电把电源线搬到晶圆背面,正面只走信号。

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  • 两个改变差在哪
  • 背面供电怎么做出来
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2 纳米与背面供电为何重要(完整说明)

半导体制程推进至 2 纳米节点,沿用逾 10 年的 FinFET 面临物理极限,全面转向环绕闸极(GAA)纳米片架构以降低漏电;同时背面供电网络(BSPDN)将金属供电线移至晶圆背面,彻底解决正面线路雍塞与电压降问题。此架构变革主要由全球晶圆代工龙头引领,核心驱动力来自高效能运算、大型语言模型 AI 加速器及旗舰手机芯片对每瓦算力的极致追求。已公开时程显示,2 纳米预计于 2025 年第 4 季进入量产并于 2026 年放量,导入背面供电的埃米级 A16 制程则规划于 2026 年下半年生产就绪,使先进架构转换进度成为全球半导体市场焦点。

判断供应链关联深浅,关键在于掌握量产瓶颈与价值集中环节。背面供电需将晶圆研磨减薄至微米级,使化学机械研磨道数遽增,研磨平坦化精度、承载晶圆贴合及防范翘曲破片为良率核心;晶背微通孔对位容错极低,带动纳米级材料分析验证需求;且纳米片沉积与微影结构严苛,推升特用化学品与特殊气体达到兆分之一纯度门槛。评估个别厂商时,应检视其产品是否实质打入 2 纳米验证清单、是否为制程扩增工序的耗材独家或主要供应者。后续需追踪新竹宝山与高雄新厂装机进度、2 纳米初期良率表现及埃米节点生产就绪等公开指标。

前段制程设备
前段制程设备本刊制图・AI 生成示意

上游前段设备模组与精密零组件2 档直接参与

供应沉积、蚀刻与微影设备之关键腔体模组、全氟橡胶密封材与吸盘零组件。

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半导体特殊气体
半导体特殊气体本刊制图・AI 生成示意

上游制程特用化学品与特殊气体3 档直接参与

提供纳米片薄膜沉积特气、EUV 微影洗涤剂及高纯度电子级清洗溶剂。GAA 纳米片交替沉积与晶背微通孔制程对化学品纯度容忍度拉升至 ppt 等级,且微影高深宽比结构极易倒塌,要求超高纯度合成技术、微量杂质分离能力与专利配方改质技术,认证周期长且壁垒极高。

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研磨垫与钻石碟
研磨垫与钻石碟本刊制图・AI 生成示意

中游晶圆代工与平坦化制程支持3 档直接参与

涵盖先进逻辑晶圆制造、化学机械研磨耗材及机台真空腔体洁净再生服务。

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晶圆检测与材料分析
晶圆检测与材料分析本刊制图・AI 生成示意

下游先进微观结构检测与材料分析2 档直接参与

专注于提供 2 纳米 GAA 纳米片与晶背供电结构之材料分析、故障分析与可靠度检测服务。在全新三维通道与双面对准结构下,纳米级硅穿孔微缺陷极难捕捉,仰赖高阶穿透式电子显微镜超薄样品制备技术与专利分析定位能力,为先进制程良率调校与研发迭代的核心依托。

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接下来看什么

  1. 1
    时程

    新竹宝山与高雄新厂 2 纳米产线装机与量产进度

  2. 2
    技术

    晶圆龙头 A16 背面供电制程于 2026 年下半年生产就绪状况

  3. 3
    时程

    高阶 AI 芯片与旗舰手机处理器导入 2 纳米架构开案时程

  4. 4
    技术

    化学机械研磨耗材与 ppt 等级特化气体认证放量情形

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ⓘ 怎么判定关联度
关联度高
题材相关产品是主要业务之一,或是瓶颈环节的主要供应者且已量产出货。
关联度中
已出货或通过认证,但不是主要业务。
布局中
送样、验证、布局阶段或间接相关。
依公开信息判定,会随量产进度调整;关联度不是股价或投资建议。

相关题材

English summary

2nm GAA Transistors & Backside Power Delivery — Taiwan supply-chain map: 10 Taiwan-listed companies across 4 segments (upstream 2, midstream 1, downstream 1).

The page, in Traditional Chinese, explains how the technology works, what each segment of the supply chain does and its entry barriers. The company list and linkage levels are in the subscriber edition.

Data: TWSE/TPEx/MOPS. Not investment advice.