车用 SiC 与 800V 电动车 概念股与供应链
23 档台股、5 个环节:为何重要、上中下游各做什么、每家公司与题材的关联度。
电动车电气系统正由 400V 迈向 800V 高电压架构,支持 350kW 至 480kW 超快充并大幅缩短充电时间,同时具备降低线缆重量与能源损耗效益。
23 档台股、5 个环节:为何重要、上中下游各做什么、每家公司与题材的关联度。
电动车电气系统正由 400V 迈向 800V 高电压架构,支持 350kW 至 480kW 超快充并大幅缩短充电时间,同时具备降低线缆重量与能源损耗效益。
电池是直流电,马达要交流电,中间的逆变器每秒开关上万次,功率元件就是那个开关。800V 平台的元件要耐约 1,200V,碳化硅(SiC)比硅更适合。
「直接参与」=做图上的零件或制程;「间接受惠」=不做图上的东西,但受这项技术带动的供需影响。示意图,非实际尺寸与比例;立体插图为 AI 生成。查证日 2026-10-13。
最难的一段在最上游:晶锭要在约 2,000℃ 以上的密闭炉里长,速度慢、缺陷多,切片良率也偏低。基板正由 6 吋转向 8 吋。
电动车电气系统正由 400V 迈向 800V 高电压架构,支持 350kW 至 480kW 超快充并大幅缩短充电时间,同时具备降低线缆重量与能源损耗效益。在 800V 平台下,功率元件耐压需达 1,200V 以上,传统硅基元件损耗剧增且散热受限,具备高击穿电场与高导热特性的碳化硅(SiC)遂成为主驱牵引逆变器与车载充电机核心。当前由保时捷、现代与特斯拉等车厂引领,意法半导体等国际芯片厂推动,预计 2025 至 2026 年自旗舰车加速下沉至主流中高阶车系,使 1,200V 模组渗透率快速拉升。
供应链价值集中于长晶基板与主驱逆变器模组,而量产瓶颈在于长晶生长缓慢、缺陷控制难度高与 6 吋转 8 吋良率,以及高压封装散热可靠度。评估厂商关联深浅,关键在于高压 SiC 相关产品是否为营收核心,或是仅处于送样研发阶段;具体指标需检视是否取得 IATF 16949、AEC-Q101 与 ISO 26262 车规验证,以及国际 Tier 1 或整车厂实质定点开案。后续应持续追踪 8 吋晶圆扩产良率进度、专用高温制程设备资本支出,以及面对基板价格竞争下各环节的实质产能利用率。

负责高纯度碳化硅粉体合成、长晶用高纯度等方性石墨坩埚热场材料,以及导电型 SiC 单晶晶锭生长与切磨抛基板加工。
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在 SiC 基板表面以化学气相沉积成长磊晶层,并进行微影、专用高温离子注入、高温退火及金属化等晶圆制程,代工制造高压 SiC SBD 与 MOSFET。
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专注于 650V 至 1,200V 车规级 SiC 二极管与 SiC MOSFET 分离元件的线路设计、架构优化与 IDM 整合制造。
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提供高压功率模组封装、晶圆电性与成品预烧测试,以及专用高散热导线架。在 800V 高压作业下,必须具备优异绝缘爬电距离、抗热震能力与高散热效率,广泛采用双面冷却与铜夹合技术以避免焊点热疲劳。
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将 SiC 模组整合成 800V 主驱牵引逆变器、车载充电机(OBC)及直流快充桩,并涵盖高压直流接触器、专用水冷散热板与耐高压电容等零组件。
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主流车厂 800V 车款下沉至中高阶市场之开案与上市时程
国内外晶圆代工与基板厂 8 吋 SiC 产线良率与扩产进度
车用 1,200V SiC 模组取得车规认证与客户定点通知
全球长晶产能开出对 6 吋与 8 吋基板报价之变动趋势
Silicon Carbide (SiC) & 800V EVs — Taiwan supply-chain map: 23 Taiwan-listed companies across 5 segments (upstream 1, midstream 2, downstream 2).
The page, in Traditional Chinese, explains how the technology works, what each segment of the supply chain does and its entry barriers. The company list and linkage levels are in the subscriber edition.
Data: TWSE/TPEx/MOPS. Not investment advice.